22 августа, 2021 
AdminGWP 
Kioxia (рaнee Toshiba) сooбщилa o нaчaлe пoстaвoк нoвыx мoдулeй флeш-пaмяти Universal Flash Storage (UFS) стaндaртa 3.1 oбъёмoм 256 и 512 ГБ, прeднaзнaчeнныx про высoкoпрoизвoдитeльныx мобильных устройств.
Упитанность модуля UFS 3.1 объёмом 256 ГБ составляет просто-напросто 0,8 мм, а чипа объёмом 512 ГБ — 1,0 мм. Около этом они готовы создать условия до 30 % более высокую натиск произвольного чтения и до 40 % больше высокую скорость произвольной ежедневник по сравнению с чипами предыдущего поколения.
В памяти используется флеш-реминисценция BiCS FLASH 3D. По словам компании, флеш-модули UFS следовать счёт своей скорости и сильнее высокой плотности всё чаще используются в обмен. Ant. наряду с памяти eMMC. Со ссылкой сверху данные аналитической компании Forward Insights братия Kioxia указывает, что почти не 70 % последних заказов чипов флеш-памяти в (видах мобильных устройств приходятся то-то и оно на стандарт UFS, и в дальнейшем буква цифра продолжит увеличиваться.
Продуцент указывает, что в новых флеш-модулях UFS 3.1 объёмом 256 и 512 ГБ реализованы дополнительные инструменты, призванные добавить производительность. Например, сообщается о технологии Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0, которая улучшает быстродействие в операциях произвольного чтения информации.
Опубликовано в рубрике